3. 3. CPU ¹Ú¹°°ü°ú ½Ç¸®ÄÜ µ¿¹°¿ø

CPU ¹Ú¹°°ü

3.1. 3.1 ¾î¶»°Ô Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ µ¿ÀÛÇϴ°¡?

¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­(Microprocessor)´Â ¿ì¸®µéÀÌ ¸ÅÀÏ »ç¿ëÇÏ´Â TV, ÀÚµ¿Â÷, ¶óµð¿À, °¢Á¾ °¡ÀüÁ¦Ç°µé (ÄÄÇ»ÅÍ´Â ¸»ÇÒ °Íµµ ¾ø´Ù)°ú °°Àº ¸¹Àº Á¦Ç°ÀÇ ÇÙ½É ºÎÇ°ÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ Æ®·£Áö½ºÅÍ(Transistor)´Â ÀÌ·¯ÇÑ ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­ÀÇ Á᫐ ºÎÇ°ÀÌ´Ù. ÇÏÀ§·¹º§¿¡¼­ º¸¸é, Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ¾ÆÁÖ °£´ÜÇÏ°Ô º¸ÀÏÁö ¸ð¸¥´Ù. ÇÏÁö¸¸, Æ®·£Áö½ºÅÍ °³¹ß¿¡´Â ¼ö½Ê³âÀÇ °íÅ뽺·± ¿¬±¸°úÁ¤ÀÌ ÇÊ¿äÇß´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ °³¹ßµÇ±â Àü¿¡´Â, ÄÄÇ»ÅÍ¿¡¼­ÀÇ Á¤º¸Ã³¸®¸¦ À§ÇØ ºñÈ¿À²ÀûÀÎ Áø°ø°ü°ú ±â°èÀûÀÎ ½ºÀ§Ä¡µéÀÌ »ç¿ëµÇ¾ú´Ù. 1958³â, ¸î¸î °øÇÐÀÚµé (±×µé Áß ÇѸíÀº IntelÀÇ ¼³¸³ÀÚ Robert Noyce¿´´Ù)Àº µÎ°³ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ÇϳªÀÇ ½Ç¸®ÄÜ °áÁ¤(silicon crystal)¿¡ ³Ö´Âµ¥ ¼º°øÇÏ¿´°í, ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­·ÎÀÇ ±æÀ» ¿­¾îÁØ ÃÖÃÊÀÇ ÁýÀû ȸ·Î(integrated circuit)¸¦ âÁ¶ÇÏ¿´´Ù.

Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ¾ÆÁÖ ÀÛÀº ÀüÀÚ ½ºÀ§Ä¡ÀÌ´Ù. À̵éÀÌ ÄÄÇ»ÅÍÀÇ µÎ³ú ¿ªÇÒÀ» ÇÏ´Â ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­¸¦ ±¸¼ºÇÏ´Â ´ÜÀ§°¡ µÈ´Ù. ÀϹÝÀûÀÎ ½ºÀ§Ä¡µé°ú ¸¶Âù°¡Áö·Î, Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â On/OffÀÇ µÎ°¡Áö µ¿ÀÛ »óŸ¦ °®´Â´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ On/Off, binary µ¿ÀÛ Æ¯¼ºÀÌ ÄÄÇ»ÅÍÀÇ Á¤º¸ 󸮸¦ °¡´ÉÄÉ ÇÑ´Ù.

¾î¶»°Ô Á¶±×¸¸ ÀüÀÚ ½ºÀ§Ä¡µéÀÌ µ¿ÀÛÇϴ°¡?:

ÄÄÇ»ÅÍ°¡ ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖ´Â À¯ÀÏÇÑ Á¤º¸´Â On/Off·Î ½ºÀ§Ä¡ µÇ´Â Àü±â ½ÅÈ£»ÓÀÌ´Ù. Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ¾Ë±â À§Çؼ­´Â, ÀüÀÚ È¸·Îµé(electronic circuit)ÀÌ ¾î¶»°Ô ½ºÀ§ÄªÀÌ µÇ´ÂÁö¸¦ ÀÌÇØÇÏ´Â °ÍÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù. ½ºÀ§Äª ÀüÀÚȸ·Î´Â µÎ ºÎºÐÀ¸·Î ³ª´©¾î º¼ ¼ö ÀÖ´Ù. Çϳª´Â Àü·ù°¡ È带 ¼ö Àִ ȸ·Î»óÀÇ ±æ (ÀϹÝÀûÀ¸·Î Àü¼±ÀÌ µÈ´Ù)ÀÌ´Ù. ´Ù¸¥ Çϳª´Â ȸ·Î»óÀÇ ±æÀ» °³¹æÇϰųª Æó¼âÇÔÀ¸·Î½á Àü·ùÀÇ È帧À» ½ÃÀÛ½ÃÅ°°Å³ª ÁߴܽÃų ¼ö ÀÖ´Â ½ºÀ§Ä¡ deviceÀÌ´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ±â°èÀûÀÎ ¿òÁ÷ÀÓ ¾øÀÌ Àü±â ½ÅÈ£¿¡ µû¶ó ÄÑÁö°í ²¨Áø´Ù. ÀÌ·± Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Æ¯¼ºÀº ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­ÀÇ µ¿ÀÛ¿¡ Å« ÀÌÁ¡À» Á¦°øÇÑ´Ù.

3.2. 3.2 ¾î¶»°Ô Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ Á¤º¸¸¦ ó¸®Çϴ°¡?

Æ®·£Áö½ºÅÍ¿Í °°ÀÌ µÎ°³ÀÇ »óŸ¸À» °¡Áö°í ÀÖ´Â °ÍµéÀ» binary¶ó°í ºÎ¸¥´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÄÑÁø »óŸ¦ 1À̶ó Ç¥ÇöÇÏ°í ²¨Áø »óŸ¦ 0À̶ó Ç¥ÇöÇÑ´Ù. ¿©·¯°³ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍ¿¡ ÀÇÇØ »ý¼ºµÈ 1°ú 0ÀÇ ¿¬¼ÓµÈ ÆÐÅÏÀ¸·Î ¹®ÀÚ, ¼ýÀÚ, »ö°ú ±×·¡ÇÈ Á¤º¸µéÀÌ Ç¥ÇöµÉ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ°ÍÀÌ binary Ç¥Çö¹ýÀÌ´Ù.

3.3. 3.3 binary Á¤º¸ Ç¥Çö

À̸§À» binary·Î Ç¥±âÇØ º¸¶ó:

°¢ ¾ËÆĺªÀÇ ¹®ÀÚµéÀ» binary·Î Ç¥ÇöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¾Æ·¡´Â JOHNÀ̶ó´Â À̸§°ú ±×¿¡ ´ëÀÀµÇ´Â binary Ç¥ÇöÀ» ³ªÅ¸³»°í ÀÖ´Ù.
	J  0100 1010
	O  0100 1111
	H  0100 1000
	N  0100 1110
±×·¡ÇÈ, ¿Àµð¿À, ºñµð¿À¿Í °°Àº ´õ º¹ÀâÇÑ Á¤º¸µéµµ Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ µ¿ÀÛ¿¡ ÀÇÇØ binary ȤÀº On/Off·Î ¸¸µé¾îÁú ¼ö ÀÖ´Ù.

¾Æ·¡ÀÇ ¾ËÆĺª°ú ±×¿¡ ´ëÀÀµÇ´Â binary Ç¥Çö µµÇ¥¸¦ Âü°íÇ϶ó.

표 1. ¾ËÆĺª°ú ±×¿¡ ´ëÀÀµÇ´Â binary Ç¥Çö µµÇ¥

Character Binary Character Binary
A 0100 0001 N 0100 1110
B 0100 0010 O 0100 1111
C 0100 0011 P 0101 0000
D 0100 0100 Q 0101 0001
E 0100 0101 R 0101 0010
F 0100 0110 S 0101 0011
G 0100 0111 T 0101 0100
H 0100 1000 U 0101 0101
I 0100 1001 V 0101 0110
J 0100 1010 W 0101 0111
K 0100 1011 X 0101 1000
L 0100 1100 Y 0101 1001
M 0100 1101 Z 0101 1010
   

3.4. 3.4 ¹ÝµµÃ¼(Semi-conductor)¶õ ¹«¾ùÀΰ¡?

µµÃ¼(Conductor)¿Í ºÎµµÃ¼(insulator) :

±Ý¼Ó°ú °°Àº ¸¹Àº ¹°ÁúµéÀº Àü·ù(electrical current)¸¦ È긱 ¼ö ÀÖ´Ù. À̵éÀÌ µµÃ¼(Conductor)ÀÌ´Ù. Àü·ù¸¦ È긮Áö ¸øÇÏ´Â ¹°ÁúµéÀº ºÎµµÃ¼(insulator)¶ó ºÒ¸°´Ù. ´ëºÎºÐ ¹ÝµµÃ¼(Semi-conductor)ÀÇ ±âº» Àç·á°¡ µÇ´Â ¼ø¼öÇÑ ½Ç¸®ÄÜ(pure silicon)Àº ºÒ¼ø¹°(impurity)ÀÇ ÁÖÀÔÁ¤µµ¿¡ µû¶ó ÀüµµÀ²(conductivity)ÀÌ º¯Á¶(modulation)µÉ ¼ö Àֱ⠶§¹®¿¡ ¹ÝµµÃ¼¶ó ºÒ¸°´Ù.

3.4.1. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÇغÎÇÐ

¹ÝµµÃ¼¿Í Àü·ù

½Ç¸®ÄÜ¿¡ ÀûÀýÇÑ Á¾·ùÀÇ ºÒ¼ø¹°(impurity)À» ÁÖÀÔÇÔÀ¸·Î½á °áÁ¤ ±¸Á¶¸¦ º¯°æ½Ãų ¼ö ÀÖ°í, ÀüµµÀ²À» °­È­½Ãų ¼ö ÀÖ´Ù. ºØ¼Ò(boron)°è¿­ÀÇ ºÒ¼ø¹°ÀÌ ÁÖÀÔµÈ ¹ÝµµÃ¼¸¦ pÇü ¹ÝµµÃ¼¶ó ÇÑ´Ù (p´Â ¾çÀüÇϳª Á¤°ø(hole)À» ¶æÇÑ´Ù). ÀÎ(phosphorus)°è¿­ÀÇ ºÒ¼ø¹°ÀÌ ÁÖÀÔµÈ ¹ÝµµÃ¼¸¦ nÇü ¹ÝµµÃ¼¶ó ÇÑ´Ù (nÀº À½ÀüÇϳª ´Ù¼ö ÀÚÀ¯ÀüÀÚ(major free electron)¸¦ ¶æÇÑ´Ù).

3.4.2. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÀÛµ¿

Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÀÛµ¿ - Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ On/Off »óÅÂ

Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â source, gate, drainÀÇ ¼¼ ´ÜÀÚ·Î ÀÌ·ç¾îÁø´Ù.

nÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ¾çÀ¸·Î ´ëÀüµÈ pÇü ½Ç¸®ÄÜ ¿ì¹°À§¿¡ À½À¸·Î ´ëÀüµÈ source¿Í drainÀÌ ¶°ÀÖ´Â ±¸Á¶·Î µÇ¾îÀÖ´Ù. [1]

gate¿¡ ¾çÀü¾ÐÀÌ °¡ÇØÁö¸é, pÇü ½Ç¸®ÄÜÀÇ ÀüÀÚµéÀÌ gate ¾Æ·¡ÀÇ ¿µ¿ªÀ¸·Î À̲ø·Á¼­ source¿Í drain »çÀÌ¿¡ ÀüÀÚ Ã¤³ÎÀÌ Çü¼ºÇÑ´Ù.

drain¿¡ ¾çÀü¾ÐÀÌ °¡ÇØÁö¸é, ÀüÀÚµéÀÌ source¿¡¼­ ºÎÅÍ drainÀ¸·Î ÈÛ¾µ·Á°¡°Ô µÇ¾î Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ ÄÑÁø´Ù.

gateÀÇ Àü¾ÐÀÌ Á¦°ÅµÇ¸é, source¿Í drain »çÀÌÀÇ ¿µ¿ª¿¡ ÀüÀÚ°¡ À̲ø¸®Áö ¾Ê°Ô µÇ¾î ±æÀÌ ²÷¾îÁö°í, Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ ²¨Áø´Ù.

3.4.3. Æ®·£Áö½ºÅÍ È¿°ú

Æ®·£Áö½ºÅÍ È¿°ú - ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­°¡ ¿ì¸®ÀÇ »îÀ» ¾î¶»°Ô º¯¸ð½ÃÅ°´Â°¡?

Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÀÌÁø¼öÀûÀΠƯ¼ºÀº ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­¿¡°Ô ¿öµå ÇÁ·Î¼¼½ÌÀ̳ª ºñµð¿À ÆíÁýµîÀÇ ´Ù¾çÇÑ ÀÛ¾÷À» ¼öÇàÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´É·ÂÀ» ºÎ¿©ÇÑ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­´Â ÇϳªÀÇ Ä¨¿¡¼­ 1ÃÊ¿¡ ¼ö½Ê¾ï°³ÀÇ ÀνºÆ®·°¼ÇÀ» ¼öÇàÇÒ ¼ö ÀÖÀ» Á¤µµ·Î ¹ßÀüÇÏ¿´´Ù. ÀÚµ¿Â÷, ÀÇ·á Àåºñ, ÅÚ·¹ºñÁ¯, ÄÄÇ»ÅÍ¿¡ ¿ìÁÖ ¿Õº¹¼±±îÁö ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÁ·Î¼¼¼­¸¦ »ç¿ëÇÑ´Ù. ÀÌ°ÍÀº ÀÌÁø Á¤º¸¸¦ ´Ù·ê ¼ö ÀÖ°ÔÇÏ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ ´öºÐÀÌ´Ù.

주석

[1]

ÀÌ´Â FET(Field Effect Transistor) Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ±¸Á¶¿¡ ´ëÇÑ ¼³¸íÀÌ´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Á¾·ù¿¡´Â Å©°Ô BJT(Bipolar Junction Transistor)¿Í FET°¡ ÀÖÀ¸¸ç, ÇöÀçÀÇ ÁýÀûȸ·Î¿¡´Â FET Áß¿¡¼­µµ MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET)°¡ ÁÖ·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.